近日Intel发文介绍了在IEDM 2024(2024年IEEE国际电子器件会议)上展示的多项技术突破。
在新材料方面，减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium)最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内互连。
Intel代工还率先展示了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装(chip-to-chip assembly)。
此外，Intel代工还展示了硅基RibbionFET CMOS (互补金属氧化物半导体)技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管(2D FETs)的栅氧化层(gate oxide)模块，以提高设备性能。
在300毫米GaN(氮化镓)技术方面，Intel代工也在继续推进研究，制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT(金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管)。
可以通过减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。
Intel代工还认为，以下三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：
先进内存集成(memory integration)，以消除容量、带宽和延迟的瓶颈;
用于优化互连带宽的混合键合;
模块化系统(modular system)及相应的连接解决方案
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